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DMN2400UV
1.2
1.0
1.6
1.2
T A = 25°C
0.8
I D = 1mA
0.6
I D = 250μA
0.8
0.4
0.4
0.2
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
60
1,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
50
f = 1MHz
100
40
30
C iss
10
T A = 125°C
T A = 85°C
20
1
T A = -55°C
10
0
C oss
C rss
0.1
T A = 25°C
0
5 10 15
20
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
5
4
V DS = 10V
I D = 250mA
3
2
1
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMN2400UV
Document number: DS31852 Rev. 7 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2011
? Diodes Incorporated
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